Η Samsung παρουσιάζει μνήμη 256GB UFS 2.0 για τα επόμενης γενιάς smartphones/tablets

Έναν χρόνο μετά την κατασκευή μνήμη 128GB UFS 2.0 για φορητές συσκευές, η Samsung κατάφερε να διπλασιάσει τη χωρητικότητα και ουσιαστικά ανοίγει τον δρόμο για τα πρώτα smartphones/tablets/phablets με αποθηκευτικό χώρο 256GB.

Η νέα μνήμη 256GB UFS βασίζεται στα πιο εξελιγμένα V-NAND flash memory chips και στον ειδικά σχεδιασμένο controller υψηλής απόδοσης για διαχείριση έως 45.000/40.000 διεργασιών input/output ανά δευτερόλεπτο (IOPS) για ανάγνωση και εγγραφή αντίστοιχα, αριθμοί που είναι υπερδιπλάσιοι των 19.000/14.000 IOPS της προηγούμενης γενιάς.

Ακόμη, η εταιρεία σημειώνει ότι η νέα μνήμη χρησιμοποιεί δύο οδούς για την μεταφορά δεδομένων με αποτέλεσμα να επιτυγχάνει ταχύτητες έως 850MB/s, δηλαδή σχεδόν διπλάσιες από αυτές των κλασικών SATA SSDs που χρησιμοποιούνται σε υπολογιστές.

Η μαζική παραγωγή θα ξεκινήσει άμεσα και ποντάρουμε ότι το Samsung Galaxy Note 6 θα είναι η πρώτη συσκευή με 256GB αποθηκευτικό χώρο.

[Samsung]