Η Samsung ανακοίνωσε ότι ξεκινά την μαζική παραγωγή των πρώτων chip και modules μνήμης DRAM 8-gigabit DDR4 στην κλίμακα των 10nm (δηλαδή από 10nm έως 20nm, το πιθανότερο στα 18nm), έτσι ώστε να προσφέρει ακόμη μεγαλύτερη απόδοση και λειτουργικότητα με ταυτόχρονη μείωση στην κατανάλωση ενέργειας.
Τα νέα modules υποστηρίζουν ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων 3200Mbps σε αντίθεση με τα 2400Mbps των DDR4 DRAM modules στα 20nm, ενώ καταναλώνουν 10-20% λιγότερη ενέργεια. Η νέα γενιά θα περιλαμβάνει chips χωρητικότητας 4GB έως 128GB και αναμένεται ότι θα χρησιμοποιηθεί σε πληθώρα συσκευών από notebooks και smartphones μέχρι servers. Σε ό,τι αφορά το κομμάτι των smartphones, η τοποθέτηση τους θεωρείται ιδιαίτερα σημαντική για την υποστήριξη ανάλυσης Ultra HD.
[Samsung]
