Η Samsung ανακοίνωσε ότι ανέπτυξε το πρώτο στον κόσμο chip μνήμης 12-stack HBM3E DRAM της βιομηχανίας. Πρόκειται για το chip μνήμης HBM με τη μεγαλύτερη χωρητικότητα στον κόσμο μέχρι σήμερα, με την εταιρεία να ισχυρίζεται ότι προσφέρει 50% υψηλότερη χωρητικότητα και απόδοση από την προηγούμενη γενιά.
Σύμφωνα με τη Samsung, το HBM3E 12H chip προσφέρει bandwidth έως 1.280GB/s και χωρητικότητα έως 36GB. Αυτό είναι 50% υψηλότερο από τα σημερινά 8-stack HBM3 8H. Χρησιμοποιεί ένα προηγμένο μη αγώγιμο φιλμ θερμικής συμπίεσης (TC NCF) που επιτρέπει σε προϊόντα 12 στρώσεων να έχουν το ίδιο ύψος με τα HBM στρώσεων. Αυτό διευκολύνει τη συμβατότητα και βελτιώνει την ευελιξία των κατασκευαστών συστημάτων. Προσφέρει επίσης πρόσθετα οφέλη, όπως ο περιορισμός του πακεταρίσματος των chip που συνεπάγεται ένα λεπτότερο καλούπι.
Η Samsung αναφέρει ότι τα HBM3E έχουν το μικρότερο κενό της βιομηχανίας, μόλις 7μm. Αυτό εξαλείφει τα κενά μεταξύ των στρωμάτων στο εσωτερικό του τσιπ και ενισχύει την κάθετη πυκνότητα κατά 20% σε σύγκριση με τα HBM3 8 στρώσεων.
Η νέα τεχνολογία TC NCF της Samsung βελτιώνει τα θερμικά χαρακτηριστικά στο εσωτερικό των τσιπ HBM χρησιμοποιώντας προεξοχές διαφορετικών μεγεθών μεταξύ των τσιπ. Οι μικρότερες προεξοχές χρησιμοποιούνται σε περιοχές για σηματοδότηση, ενώ οι μεγαλύτερες προεξοχές χρησιμοποιούνται σε σημεία που απαιτούν απαγωγή θερμότητας. Η Samsung ισχυρίζεται ότι η μέθοδος αυτή βελτιώνει επίσης την απόδοση του προϊόντος. Αυτά τα τσιπ μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε συστήματα που απαιτούν μεγαλύτερη χωρητικότητα μνήμης.
Οι επιχειρήσεις που θα αξιοποιήσουν αυτά τα νέα chips μπορούν να έχουν υψηλότερες επιδόσεις και χωρητικότητα και να μειώσουν το συνολικό κόστος λειτουργίας των κέντρων δεδομένων. Όταν χρησιμοποιούνται για εφαρμογές Τεχνητής Νοημοσύνης, η μέση ταχύτητα της εκπαίδευσης Τεχνητής Νοημοσύνης μπορεί να ολοκληρώνεται 34% ταχύτερα, ενώ οι ταυτόχρονες χρήσεις υπηρεσιών μπορούν να αυξηθούν κατά 11,5 φορές.
Η μαζική παραγωγή θα ξεκινήσει το πρώτο εξάμηνο του τρέχοντος έτους.
[Samsung]
